IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor，簡寫IGBT）功率器件與VDMOS的差別在于n外延層下面不是n+層而是p+層。導通時在n型漂移區(qū)產生電導調制效應，大幅降低導通壓降。

CoolSemi的IGBT功率器件采用溝槽柵場截至設計，外延層厚度降低到60um，Vcesat達到1.45V，性能媲美Infineon IFX6。